Наверх
12 декабря 2019
USD EUR
Погода
Без рубрики

Архивная публикация 2010 года: "Научным руководителем Силиконовой долины в Сколково станет Жорес Алферов"

Научным руководителем российской «силиконовой долины», которая
создается в подмосковном Сколково, станет нобелевский лауреат Жорес
Алферов.Научным руководителем российской «силиконовой долины», которая создается в подмосковном Сколково, станет нобелевский лауреат Жорес Алферов. Об этом сообщает РИА «Новости» со ссылкой на «Ведомости».
Напомним, о планах по созданию в России ультрасовременного научно-технологического комплекса по разработке и коммерциализации новых технологий президент РФ Дмитрий Медведев объявил в феврале этого года.
Предполагается, что инновационный центр станет российским аналогом американской Силиконовой долины, а также крупнейшим испытательным полигоном новой экономической политики.
Ранее стало известно, что со стороны бизнеса проект по созданию центра возглавит глава группы компаний «Ренова» Виктор Вексельберг.
По словам первого замглавы президентской администрации Владислава Суркова, который руководит рабочей группой по строительству «силиконовой долины», в сколковском проекте будет сформирован научно-технический совет, в который войдут российские и иностранные ученые, инженеры и эксперты. Руководить советом будут два сопредседателя. С российской стороны этой будет Алферов. Он же предложит кандидатуру второго сопредседателя – от иностранцев.
В конце марта Вексельберг заявил, что список кандидатов на пост руководителя российского инновационного центра в Сколково с международной стороны будет составлен в ближайшие месяц-полтора, отмечает РИА «Новости».

Жорес Алферов родился 15 марта 1930 года в Витебске (Белоруссия).
Окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В.И. Ульянова (ЛЭТИ) (в настоящее время – Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ).
С 1953 года работал в Физико-техническом институте имени А.Ф. Иоффе, с 1987 года – в качестве директора, а с мая 2003 года по июль 2006 года – научного руководителя.
Принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов.
С начала 90-х занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.
Исследования Жореса Алферова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».
Многие годы сочетает научные исследования с преподаванием. С 1973 года Алферов заведует базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ, с 1988 года – декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного технического университета.
В 1972 году был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 году – ее действительным членом, в 1990 году – вице-президентом Российской академии наук и президентом Санкт-Петербургского научного центра РАН.
Автор более 500 научных работ, в том числе трех монографий, и более 50 изобретений.
В 1989-1992 годах был народным депутатом СССР, с 1995 года – депутат Госдумы второго, третьего, четвертого и пятого созывов (фракция КПРФ).
В 2001 году учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодежи, содействия ее профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки.
В 2002 году инициировал учреждение премии «Глобальная энергия» и до 2006 года возглавлял Международный комитет по ее присуждению.
С 2003 года – председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН.
Почетный доктор многих университетов и почетный член многих академий.
Награжден золотой медалью Баллантайна (1971) Франклиновского института (США), Хьюлет-Паккардовской премией Европейского физического общества (1972), медалью Х. Велькера (1987), премией А.П. Карпинского и премией А.Ф. Иоффе РАН, общенациональной неправительственной Демидовской премией РФ (1999), премией Киото за передовые достижения в области электроники (2001).
В 2000 году получил Нобелевскую премию по физике «за достижения в электронике» совместно с американцами Джеком Килби и Гербертом Кремером.
В 2002 году за работу «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе» Жорес Алферов и команда ученых, работающих вместе с ним, были удостоены Государственной премии.
Награжден орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, Знаком Почета «За заслуги перед Отечеством» III и II степени, медалями СССР и Российской Федерации.

Больше интересного на канале: Дзен-Профиль
Скачайте мобильное приложение и читайте журнал "Профиль" бесплатно:
Самое читаемое

Зарегистрируйтесь, чтобы получить возможность скачивания номеров

Войти через VK Войти через Google Войти через OK