Как рассказали в НГУ, такие элементы должны превзойти использующуюся сегодня флеш-память (устройство, которое позволяет хранить информацию и при отключенном питании, записывать и удалять данные) по важным параметрам. Это объем хранения, количество циклов перезаписи и возможности быстрого доступа к ней.
Как объяснил научный сотрудник лаборатории НГУ Иван Юшков, сегодня технологии производства флеш-памяти достигли своего предела по количеству циклов перезаписи. На помощь придут новые элементы памяти – мемристоры, специализированные резисторы (пассивные элементы электрической цепи) с эффектом памяти, способные сохранять предыдущие изменения. Это позволяет им хранить информацию.
Как сообщили в вузе, специалисты НГУ стали первыми в мире, кто обнаружил в материалах на основе кремний-германиевых стекол "эффект памяти", известный как мемристорный эффект. Ученые исследовали свойства этих материалов и теперь изучают процессы, связанные с протеканием тока через них.
Ученым НГУ удалось объединить свойства двух веществ, оксида кремния и оксида германия, в кремний-германиевых стеклах, представляющих собой их смесь. В рамках проведения экспериментов были выращены пленки с различными сочетаниями оксидов германия и кремния для создания и исследования соответствующих структур при различных температурных режимах – от комнатной температуры до +102°C и более высоких. Этот диапазон соответствует рабочим температурам мемристоров.
Моделирование свойств исследуемых образцов проводилось с помощью модели под названием "Ток, ограниченный пространственным зарядом". "Мы можем с помощью этой модели теоретически предугадать параметры будущего мемристора как одного из новых типов памяти", – пояснил Юшков. По словам ученого, с ее помощью также можно более точно определять диапазон работы моделируемого прибора. Отмечается, что благодаря результатам исследования можно определить параметры мемристора именно теоретически, не прибегая к выращиванию наноструктуры.
Юшков отметил, что мемристоры могут увеличить количество циклов перезаписи в разы по сравнению с флеш-памятью. Также ряд исследований показывает, что время перезаписи у них может составлять до десятков наносекунд или даже пикосекунд по сравнению с долями микросекунд у флеш-памяти.
Ранее специалисты "Лаборатории Касперского" разработали нейроморфные чипы, которые моделируют работу человеческого мозга. Они работают с минимальными энергозатратами и высокой скоростью.
