29 июля 2025
USD 79.58 +0.03 EUR 93.21 -0.14
  1. Главная страница
  2. Новости
  3. Диоды нового поколения разработали томские ученые

Диоды нового поколения разработали томские ученые

Специалисты Томского государственного университета (ТГУ) разработали диоды на основе оксида галлия – материала, представляющего собой четвертое поколение полупроводников. Лабораторные образцы уже прошли первые испытания, сообщает во вторник, 29 июля 2025 года, ТАСС со ссылкой на пресс-службу вуза.

Силовые диоды

(Иллюстрация)

©anmbph/Shutterstock/Fotodom
Содержание:

Что представляет собой оксид галлия

Оксид галлия (Ga2O3) – неорганическое соединение легкого металла галлия и кислорода. Оно не растворяется в воде, но растворимо в горячих щелочах и кислотах. Галлий – металл хрупкий и при этом пластичный, он обладает высокой тепло- и электропроводностью. Его оксид имеет свойства полупроводника.

В чем плюсы полупроводников на основе оксида галлия

Такие полупроводники относятся к последнему, четвертому поколению. Ученые отмечают, что у них большие перспективы применения благодаря уникальным особенностям галлия.

Как рассказал аспирант радиофизического факультета ТГУ, ведущий научный сотрудник лаборатории микроэлектроники мультиспектральной квантовой интроскопии центра "Перспективные технологии в микроэлектронике" Никита Яковлев, полупроводники из оксида галлия обладают устойчивостью к высокому напряжению, низким расходом энергии и меньшим размером по сравнению с полупроводниками прошлых поколений. Лидером в их разработке сегодня является Китай. Активные исследования в этой области проводятся и в России.

Что известно про новые диоды

Яковлев и его научный руководитель Алексей Алмаев разработали диод с пробивным напряжением (напряжение, при котором происходит резкое увеличение протекающего тока) свыше 1000 В. Разработка получила название "Силовой диод 1 kV-класса с барьером Шоттки (потенциальный барьер, образующийся в слое полупроводника, граничащем с металлом. – «Профиль») на основе Ga2O3".

Тестирование устройств проходило в 2025 году на базе лаборатории металлооксидных полупроводников центра. Сейчас разработчики оптимизируют процесс производства.

Где может пригодиться разработка

Как отмечают в ТГУ, потенциальная область применения новых диодов очень широкая. Их можно использовать для производства энергоэффективных зарядных устройств, блоков питания высокой мощности, схем управления электродвигателями автомобилей и различной электроники.

В мае 2025 года стало известно, что специалисты Российского технологического университета МИРЭА разработали транзисторы на основе алмаза, способные работать при высоких температурах. Эта разработка открывает новые возможности для космической, ядерной и промышленной электроники.

Читайте на смартфоне наши Telegram-каналы: Профиль-News, и журнал Профиль. Скачивайте полностью бесплатное мобильное приложение журнала "Профиль".