Кроме того, 463,7 млн рублей направят на создание установки для выращивания слоев кремний-германия на кремниевых пластинах диаметром 200 мм методом газофазной эпитаксии. Открытый конкурс по двум этим тендерам был объявлен 1 июня, указывает издание со ссылкой на информацию портала госзакупок.
Проект "Эпитаксия-SiGe" предполагает создание установки газофазной эпитаксии, призванной заменить оборудование нидерландской ASM. Проект "Цитадель" – это создание установки молекулярно-лучевой эпитаксии на замену французской Riber 49 и американской Veeco GEN200.
Их прямых отечественных аналогов не существует.
"Эпитаксия-SiGe"
В рамках проекта "Эпитаксия-SiGe" должно провести моделирование и изготовить три макета ключевых узлов будущей установки: реактора газофазной эпитаксии, робота-загрузчик и модуля предэпитаксиальной обработки для сухой химической очистки поверхности пластин.
К реактору предъявлены следующие требования: рабочие температуры до 1180°C, диапазон давлений – от низкого вакуума до атмосферного, сверхвысокая герметичность. Минимальная скорость роста – 6 мкм/час для слоя кремния и 0,5 мкм/час для кремний‑германиевого слоя при содержании германия от 10%.
Срок выполнения работ – до июня 2029 года.
"Цитадель"
В рамках "Цитадели" требуется изготовить опытный образец установки молекулярно‑лучевой эпитаксии с групповой загрузкой. Она должна обрабатывать не менее пяти подложек диаметром 76 мм или трех подложек диаметром 100 мм.
Предельное остаточное давление в ростовой камере после прогрева – не выше пяти десятимиллиардных долей паскаля. Однородность толщины слоев на пластинах 100 мм – не более 3%, однородность легирования: для n‑типа – не более 5%, для p‑типа – не более 20%. Требуемая скорость роста – не менее 1 мкм/час. Максимальная температура подложки – не менее 750°C, скорость вращения ростового манипулятора – не менее 40 оборотов в минуту.
Установка должна предусматривать 10 портов для источников молекулярных пучков с тиглями объемом не менее 700 кубических сантиметров каждый для галлия, алюминия и индия. Также в ее состав должны входить вентильный источник мышьяка, газовый источник CBr₄, система дифракции быстрых электронов, анализатор остаточной атмосферы и инфракрасный оптический пирометр.
Срок выполнения работ – до октября 2030 года.
Импортозамещение
Критические комплектующие по проекту "Цитадель" – вакуумные камеры и насосы, молекулярные источники, запорно-вакуумная арматура, центральный контроллер системы управления, программное обеспечение – должны быть российского производства.
Применение иностранных комплектующих допускается лишь при должном обосновании и с письменного согласия Минпромторга.
Почему это важно?
Эпитаксия – это процесс направленного выращивания тонкого монокристаллического слоя на поверхности другого кристалла (подложки), который задает структуру и ориентацию новому слою.
Технология является ключевой для создания сверхчистых полупроводниковых структур с заданными физическими свойствами.
Она важна в том числе для:
- создания высокочастотных транзисторов и сверхъярких светодиодов;
- выпуска интегральных микросхем, процессоров и солнечных батарей;
- производства лазеров и инфракрасных датчиков.
