Проектом руководит Институт теплофизики им. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (РАН). Также в разработке участвовали ученые из Института физики полупроводников им. Ржанова, Новосибирского государственного университета, Института автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН, Дальневосточного федерального университета.

В Институте теплофизики рассказали, что в основу технологии легло импульсное лазерное осаждение в разряженной атмосфере. С помощью тщательно подобранных параметров давления и энергии импульса лазера ученым удалось достигнуть управляемого распределения энергии атомов золота. Это, в свою очередь, позволяет создать непрерывную проводящую пленку.

Разработанная технология совместима с существующими производственными процессами, это ее основное преимущество. Также в отличие от имеющихся методик, где нужны сложные многослойные конструкции и чувствительные условия, она проста в реализации, масштабируема, для нее не требуется использование редких или токсичных материалов. Сверхтонкие золотые пленки сохраняют свои свойства на разных типах подложек, включая кремний и кварц, и обладают термической стабильностью. Это позволит внедрять материал в многослойные и гибридные структуры современной электроники. В том числе в гибкие дисплеи, прозрачные солнечные панели, сенсорные системы.

В марте 2025 года стало известно, что специалисты подмосковного Научно-исследовательского института точного машиностроения создали первый в стране опытный образец установки для плазмохимического осаждения на кремниевых пластинах диаметром 300 мм. С ее помощью можно производить отечественные микросхемы для электроники.